研究人员宣布了拓扑应变引起的争议机制,以调

7月21日,兰州化学物理学研究所的记者中国科学院得知该研究所的研究团队在整个摩擦中都进行了重要的研究发展。研究小组第一次注意到固体实验界面中的体积摩擦现象。该系统已经在电子与声子耗散和摩擦之间建立了内在关系,揭示了拓扑应变引起的摩擦机制状态调节量。相关研究结果已发表在“自然性质”中。争议行动的性质和机制是主要的摩擦学科学问题。自达芬奇(Da Vinci)提到摩擦系数以来,科学家意外地探索了这个问题。在技术机械,低维材料和材料体积系统的开发中,摩擦研究逐渐从宏观尺度扩展到PHonon和电子尺度。基于原子力显微镜的纳米处理操作的技术操纵,该团队构建了一个具有控制曲率和层的折叠石墨烯拓扑,并系统地进行了纳米级摩擦测量。研究发现,折叠石墨烯侧的摩擦力与层数显示出非线性的显着变化,这违反了实心界面中经典争端定律的能力。通过实验观察和隧道显微镜(STM)和超快光谱技术的理论分析,小组发现,石墨烯中的不平衡的踩踏器可以通过调节电子传递参数来知道相应的量规场,从而形成了伪磁场,可为Tesla的多Zens。其数学的本质是通过应变对哈密顿系统的PEIERLS转换,导致拓扑非中等能量带重建,而DI的体积在STM中观察到screte pseudolandodao能量水平。电子结构的这种变化显着阻止了电子 - 光子耦合,从而导致电子从状态的恒定运动到伪烷之间的过渡量,从而显着降低了摩擦。从2021年开始,NG科学研究已经克服了四年的控制石墨烯复制问题,并独立开发了用于体积摩擦研究的摩擦系统的第一个超低温度体积。同时,该研究还完全恢复了人们对摩擦和障碍高度的“成比例增长”的传统理解。研究发现,可以通过修复材料的微观结构来有效控制摩擦量。这项研究不仅提供了固体和固体界面中体积摩擦的第一个实验证据,而且还建立了基于TO的研究框架调节模式的溶解模式,验证界面中电子过程的状态调节的状态调节以及具有低能和拓扑材料的设备开发指南。

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